内容简介
本书系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础，全书共分十一章。章概述了真空技术，第八章分别介绍了蒸镀、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，第十一章介绍了溶液及发光器件的制备。 本书文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为，结合半导体材料和器件的能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、展、新技术。本书具有内容实、概念清楚、图文并茂的特点。 本书读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书。
目录
第1章 真空技术 §1.1 真空的基本概念 1.1.1 真空的定义 1.1.2 真空度单位 1.1.3 真空区域划分 §1.2 真空的获得 §1.3 真空度测量 1.3.1 热传导真空计 1.3.2 热阴极电离真空计 1.3.3 冷阴极电离真空计 §1.4 真空度对薄膜工艺的影响 参考文献第2章 蒸发技术 §2.1 发展历史与简介 §2.2 蒸发的种类 2.2.1 电阻热蒸发 2.2.2 电子束蒸发 2.2.3 高频感应蒸发 2.2.4 激光束蒸发 2.2.5 反应蒸发 §2.3 蒸发的应用实例 2.3.1 Cu(In，Ga)Se2薄膜 2.3.2 ITO薄膜 参考文献第3章 溅射技术 §3.1 溅射基本原理 §3.2 溅射主要参数 3.2.1 溅射阈和溅射产额 3.2.2 溅射粒子的能量和速度 3.2.3 溅射速率和淀积速率 §3.3 溅射装置及工艺 3.3.1 阴极溅射 3.3.2 三极溅射和四极溅射 3.3.3 射频溅射 3.3.4 磁控溅射 3.3.5 反应溅射 §3.4 离子成膜技术 3.4.1 离子镀成膜 3.4.2 离子束成膜 §3.5 溅射技术的应用 3.5.1 溅射生长过程 3.5.2 溅射生长Zn()薄膜的能 参考文献第4章 化学气相沉积 §4.1 概述 §4.2 硅化学气相沉积 4.2.1 CVD反应类型 4.2.2 CVD热力学分析 4.2.3 CVD动力学分析 4.2.4 a；同硅源的外延生长 4.2.5 成核 4.2.6 掺杂 4.2.7 外延层质量 4.2.8 生长工艺 §4.3 CVD技术的种类 4.3.1 常压CVD 4.3.2 低压CVD 4.3.3 超高真空CVD §4.4 能量增强CVD技术 4.4.1 等离子增强CVD 4.4.2 光增强CVD §4.5 卤素输运法 4.5.1 氯化物法 4.5.2 氢化物法 §4.6 MOCVD技术 4.6.1 MOCVD简介 4.6.2 MOCVD生长GaAs 4.6.3 MOCVD生长GaN 4.6.4 MOCVD生长ZnO §4.7 CVD技术 4.7.1 选择外延CVD技术 4.7.2 原子层外延 参考文献第5章 脉冲激光沉积 §5.1 脉冲激光沉积概述 §5.2 PLD的基本原理 5.2.1 激光与靶的相互作用 5.2.2 烧蚀物的传输 5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 §5.3 颗粒物的 §5.4 PLD在Ⅱ一Ⅵ族化合物薄膜中的应用 5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 5.4.2 其他Ⅱ一Ⅵ族化合物的PLD生长 参考文献第6章 分子束外延 §6.1 引 言 §6.2 分子束外延的原理和特点 §6.3 外延生长设备 §6.4 分子束外延生长硅 6.4.1 表面制备 6.4.2 外延生长 6.4.3 掺杂 6.4.4 外延膜的质量诊断 §6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 6.5.1 MBE生长GaAs 6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 6.5.3 MBE生长GaN §6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 6.6.1 }tgCdTe材料 6.6.2 CdTe／Si的外延生长 6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 6.6.4 ZnSe、ZnTe 6.6.5 ZnO薄膜 §6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 6.7.1 SiC材料 6.7.2 生长小尺Ge／Si量子点 6.7.3 生长有机半导体薄膜 参考文献第7章 液相外延 §7.1 液相外延生长的原理 7.1.1 液相外延基本概况 7.1.2 硅液相外延生长的原理 §7.2 液相外延生长方法和设备 §7.3 液相外延生长的特点 §7.4 液相外延的应用实例 7.4.1 硅材料 7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 7.4.3 碲镉汞材料 7.4.4 SiC材料 参考文献第8章 湿化学制备方法 §8.1 溶胶一凝胶技术 8.1.1 Sol-Gel的生长机制 8.1.2 Sol-Gel的工艺过程 8.1.3 Sol-Gel合成TiO2薄膜 8.1.4 Sol-Gel的优点和缺点 §8.2 喷雾热分解技术 8.2.1 喷雾热分解的种类 8.2.2 喷雾热分解的生长过程 8.2.3 喷雾热分解的应用介绍 8.2.4 喷雾热分解制备ZnO薄膜 §8.3 液相电沉积技术 8.3.1 电沉积简介 8.3.2 电沉积制备类金刚石薄膜 参考文献第9章 半导体超晶格和量子阱 §9.1 引 言 §9.2 半导体超晶格、量子阱的概念和分类 9.2.1 组分超晶格 9.2.2 掺杂超晶格 9.2.3 应变超晶格 9.2.4 调制掺杂超晶格 §9.3 半导体超晶格、量子阱的量子特 9.3.1 量子约束效应 9.3.2 量子隧穿和超晶格微带效应 9.3.3 共振隧穿效应 §9.4 半导体超晶格、量子阱的结构和器件应用介绍 9.4.1 GaAs／AlxGa1-xAs体系 9.4.2 ZnSe基异质结、量子阱结构 参考文献第lO章 半导备技术 §10.1 衬底材料的清洗 §10.2 发光二极管 10.2.1 GaN基LED 10.2.2 ZnO基LED 10.2.3 白光LED §10.3 薄膜晶体管 10.3.1 薄膜晶体管的工作原理 10.3.2 非晶硅薄膜晶体管 10.3.3 多晶硅薄膜晶体管 10.3.4 有机薄膜晶体管 10.3.5 ZnO薄膜晶体管 §10.4 光电探测器 10.4.1 光电导探测器 10.4.2 肖特基型光电探测器 10.4.3 p-n结型光电探测器 10.4.4 型光电二极管 参考文献第1l章 溶液及发光器件的制备 §11.1 引 言 §11.2 溶液法制备LED的分类与工作原理 11.2.1 量子点LED 11.2.2 钙钛矿LED 11.2.3 有机LED §11.3 溶液法大面积制备技术 11.3.1 喷墨打印 11.3.2 转移印刷 11.3.3 其他大面积喷涂技术 §11.4 溶液法制备发光器件的应用 11.4.1 主动发光显示器 11.4.2 电致发光单光子源 参考文献
